硅對可見光的吸收與禁帶寬度有關。禁帶寬度是指一個電子從價帶運動到能參與導電的自由狀態所需要吸收的最低能量值。對于硅材料，其禁帶寬度約為1.12eV（也有資料提及為1.07eV，但1.12eV是更為常見的數值），對應的光子波長為1100nm（或說接近1.1μm，考慮到波長與頻率的換算存在一定近似性）。

當光子的能量大于硅的禁帶寬度時，光子能夠被硅強烈吸收，并激發出電子-空穴對。對于可見光，其波長范圍在400nm至700nm之間，這意味著可見光的光子能量通常大于硅的禁帶寬度（因為可見光的光子能量對應于大于1.12eV的能量范圍）。因此，硅對可見光有較強的吸收能力。

然而，需要注意的是，雖然硅對可見光有較強的吸收，但吸收效率還受到硅片厚度、光的強度以及硅的摻雜情況等因素的影響。較厚的硅片能夠吸收更多波長的光，而光的強度越大，穿透深度也越大（但受到硅片厚度和禁帶寬度的限制）。此外，摻雜會改變硅的光學性質，例如N型硅隨著摻雜濃度的增加，載流子對光的吸收也會隨之增加。

綜上所述，硅對可見光的吸收確實與其禁帶寬度有關，且由于可見光的光子能量通常大于硅的禁帶寬度，因此硅對可見光有較強的吸收能力。